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c14時序設(shè)置,時序怎么調(diào)在哪啊

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1,時序怎么調(diào)在哪啊

右擊,修改,看他讓你找第幾行

你好!我百度HI你,具體說僅代表個人觀點,不喜勿噴,謝謝。

2,窄條金士頓ddr3 1600 4g時序怎么調(diào) 雙通道

雙通道內(nèi)存是不用調(diào)的,放在相應(yīng)顏色插槽就是,主板要支持,有的要進bios打開才行。另外CPU超外頻,內(nèi)存顯卡都會出錯的,你只有超內(nèi)頻。

內(nèi)存時序時無法調(diào)整的,只能調(diào)頻率,調(diào)頻率就要內(nèi)存加電壓,但很不調(diào),如果是1600,想調(diào)整成1866根本不可能,再就是CPU超頻與內(nèi)存沒關(guān)系,

3,金士頓KHX1600C9D34G時序如何設(shè)置還有超頻

1,H77一般是不支持超頻的。
2,看你的cpu-z為什么是顯示內(nèi)存頻率800呢?這不就是1600嗎?3,根據(jù)網(wǎng)上對金士頓的KHX1600C9D3的描述,“本產(chǎn)品從內(nèi)存顆粒選擇到制造工藝均按照1600內(nèi)存標準打造,是可靠的1600MHz內(nèi)存。為了確保系統(tǒng)兼容性,在出廠時在SPD中將其默認頻率設(shè)置在1333MHz。即使您的系統(tǒng)不支持1600MHz內(nèi)存,也可以在1333MHz頻率上正常運行。如果確認您的系統(tǒng)支持1600MHz內(nèi)存,則可以通過手動調(diào)試來實現(xiàn)1600MHz的標準頻率,有效提升系統(tǒng)性能?!泵菜剖抢脙?nèi)存的xmp可以超頻到1600并穩(wěn)定工作,具體方法可以自己查一下。
4,不建議自己調(diào)節(jié)內(nèi)存時序,實際上調(diào)節(jié)那十幾項參數(shù)的效果并沒有想象中的好,內(nèi)存雙通道和1T的效率要比調(diào)節(jié)內(nèi)存時序高的多。穩(wěn)定還是最重要的,因為不穩(wěn)定的情況下高頻的內(nèi)存性能會比低頻下更低,這個我深有體會。

在amd平臺,金士頓hyperx ddr3 1600 4g(khx1600c9d3/4g)內(nèi)存必須到主板bios里面設(shè)置1600才可以,如果你設(shè)置后,開機還是1333,那么這條內(nèi)存工作電壓是1.65v,可能是供電不足,你需要將內(nèi)存電壓調(diào)整到1.65v左右。

4,8700K M10F 3200C14幻光戟內(nèi)存 如何超頻內(nèi)存

上面那個回答跟沒回答一樣,一點操作步驟都沒有。我先介紹一下基本概念。不同的內(nèi)存使用顆粒不一定一樣,有的超頻空間很大,有的質(zhì)量差,超頻空間極小,甚至出廠就沒有任何超頻空間,超頻最好的是三星B-die顆粒,而B-die中也分好壞,2019年的B-die網(wǎng)友評價不是很高。還要介紹一下,超成什么樣子算是穩(wěn)定成功。穩(wěn)定的標志是頻率達到你需要的水平,同時內(nèi)存時序需要符合這個頻率下的正常水平(時序決定延遲,時序越低延遲越低,但時序越低對內(nèi)存體質(zhì)要求越高,高級貨才能調(diào)到低時序),電壓也符合這個頻率下的平均水平(電壓越高,溫度會越高,這樣內(nèi)存越不容易高效穩(wěn)定運行,所以我們追求低電壓運轉(zhuǎn)。但是電壓越低,對內(nèi)存體質(zhì)要求越高,體質(zhì)差的內(nèi)存在低電壓下是不能穩(wěn)定運行的,會大幾率藍屏甚至無法開機,所以不能過度追求低電壓。形象的例子是,一個運動員跑步,吃飯吃得太多,會讓他體重過大,跑起來很緩慢很遲鈍,但吃得太少他會直接餓的沒力氣走不動道),而且能夠長期穩(wěn)定運行,絕不藍屏。比如你的3200c14,就是說官方承諾3200頻率時,時序可以達到c14,而且穩(wěn)定運行。再說一下手動超內(nèi)存的大致方法,要超內(nèi)存,最少要懂得最基本的bios操作,我就默認讀者們都掌握這些基本操作了。如果讀者真的不會,那建議不要超頻,搞出問題會更困擾你:超內(nèi)存,最基礎(chǔ)的就是在BIOS里面調(diào)高內(nèi)存頻率,調(diào)節(jié)cpu的va io電壓,調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓,調(diào)節(jié)內(nèi)存時序,調(diào)節(jié)一些細微參數(shù),反復(fù)測試使之達到完美平衡。一般我們超內(nèi)存時都是先預(yù)設(shè)一個經(jīng)驗值,如果你沒有經(jīng)驗,可以在查看大神們給的同類內(nèi)存的超頻參數(shù)(注意,內(nèi)存超頻受cpu和主板影響,不一定能照抄人家的設(shè)置,可能要微調(diào),比如9900k超出來的極限參數(shù),用9700k就無法實現(xiàn)),或者可以在主板xmp默認參數(shù)下微調(diào)。然后一點點微調(diào)測試,比如你調(diào)完參數(shù),能開機,然后memorytest軟件或者玩?zhèn)€游戲測試一下,如果不能穩(wěn)定,老出錯或者藍屏,就加一點點加電壓或者調(diào)高時序,直到能穩(wěn)定運行。如果按預(yù)設(shè)參數(shù)一開始就能穩(wěn)定運行,那么你可以試試降低電壓,調(diào)低時序,然后再測試。
一直降到電腦不能穩(wěn)定運行,那么再回到上一次的參數(shù),這樣就找到了完美的參數(shù)設(shè)置??偨Y(jié)一下步驟1. 預(yù)設(shè)內(nèi)存超頻經(jīng)驗值(內(nèi)存電壓,va io電壓,時序,防掉壓等級),比如內(nèi)存電壓,常識是3000左右均值是1.35v,4000以上至少得1.4v以上;2. 開機測試;3. 如果不穩(wěn)定,那么調(diào)高內(nèi)存時序(時序最多最多調(diào)2-4,過分調(diào)高時序去將就頻率會得不償失,性能并不提高),調(diào)高內(nèi)存電壓,調(diào)高cpu的io sa電壓,每次微微調(diào)高一些,直到能正常穩(wěn)定運行;4. 如果一開始就穩(wěn)定運行,那么每次稍微降低內(nèi)存時序(一般來說時序最多也就降2-4,更大的降幅很難實現(xiàn),更大的降幅需要只在論壇貼吧傳說中偶爾出現(xiàn)的極品體質(zhì)顆粒),內(nèi)存電壓,直到無法穩(wěn)定運行,回到上次的穩(wěn)定參數(shù)。
5. 達到步驟4和5里面的水平,就算是超頻成功了。
6. 這里面最難的是經(jīng)驗,沒經(jīng)驗的人千萬不敢亂來,萬一加壓加多了,是要燒內(nèi)存條的,我認識的一個電腦小哥,給人超內(nèi)存,燒了賠了人家小一千,從此他給人裝機只設(shè)置xmp自動超頻,絕不手動超頻,所以我只能自己學(xué)超頻啦。

內(nèi)存條也要看顆粒體質(zhì) 你C14的條子選擇的非常好開機進BIOS 內(nèi)存頻率直接輸入3600即可 時序電壓設(shè)置自動調(diào)節(jié)有的板子BIOS比較難用 比如技嘉~~~對小白不友好C14的條子OC到3866 一般就可以了板子好一些 條子顆粒優(yōu)秀 可以O(shè)C到4266其實3600就足夠了 再高效果也不大的

你超什么翻車了呢,內(nèi)存,cpu?我也有c6h和1800x 1. 內(nèi)存,這個主板,你看一下附件的內(nèi)存兼容列表,他就沒有3000頻可以運行的內(nèi)存,我自己測試芝奇的幻光戟3200c14是可以兩根運行在3200c14的,四根2666c14,而海盜船白金統(tǒng)治者3000c15只能2666運行,我還試了另外一個牌子3000的內(nèi)存,也是2666; 2. cpu,1800x并不能超多少的,xfr頻率接近4.1,你自己超頻差不多最多也就是4.1;

5,電腦內(nèi)存條c14和c16的區(qū)別

1、時序不同也就是響應(yīng)時間不同,單位為時鐘周期。
2、性能不同其他條件相同的情況下,數(shù)字越小性能越好。
3、價格不同其他條件相同的情況下,數(shù)字越小價格越高。
4、顆粒不同內(nèi)存中使用的顆粒不同,數(shù)字越小顆粒越好,超頻的潛力越高。擴展資料內(nèi)存時序包含描述同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)性能的四個參數(shù):CL、TRCD、TRP和TRAS,它們的單位為時鐘周期。它們通常被四個用破折號分隔開的數(shù)字表示,例如16-16-16-36。CAS延遲(CL):發(fā)送一個列地址到內(nèi)存與數(shù)據(jù)開始響應(yīng)之間的周期數(shù)。這是從已經(jīng)打開正確行的DRAM讀取第一比特內(nèi)存所需的周期數(shù)。與其他數(shù)字不同,這不是最大值,而是內(nèi)存控制器和內(nèi)存之間必須達成的確切數(shù)字。RAS到CAS(TRCD):打開一行內(nèi)存并訪問其中的列所需的最小時鐘周期數(shù)。從DRAM的非活動行讀取第一位內(nèi)存的時間是TRCD+ CL。RAS預(yù)充電(TRP):發(fā)出預(yù)充電命令與打開下一行之間所需的最小時鐘周期數(shù)。從一個非正確打開行的DRAM讀取內(nèi)存第一比特的時間是TRP+ TRCD+ CL。周期時間(TRAS):行活動命令與發(fā)出預(yù)充電命令之間所需的最小時鐘周期數(shù)。這是內(nèi)部刷新行所需的時間,并與TRCD重疊。在SDRAM模塊中,它只是TRCD+ CL。否則,約等于TRCD+ 2×CL。參考資料:百度百科-內(nèi)存時序

1、時序不同內(nèi)存條c14和內(nèi)存條c16,他們分別代表各自的時序。
2、價格不同c16比c14便宜,性能沒有c14好。擴展資料內(nèi)存條的作用內(nèi)存是電腦(PC機、單片機)必不可少的組成部分。與可有可無的外存不同,內(nèi)存是以總線方式進行讀寫操作的部件;內(nèi)存決非僅僅是起數(shù)據(jù)倉庫的作用。除少量操作系統(tǒng)中必不可少的程序長駐內(nèi)存外,我們平常使用的程序,如Windows、Linux等系統(tǒng)軟件,包括打字軟件、游戲軟件等在內(nèi)的應(yīng)用軟件,雖然把包括程序代碼在內(nèi)的大量數(shù)據(jù)都放在磁帶、磁盤、光盤、移動盤等外存設(shè)備上,但外存中任何數(shù)據(jù)只有調(diào)入內(nèi)存中才能真正使用。電腦上任何一種輸入(來自外存、鍵盤、鼠標、麥克風(fēng)、掃描儀,等等)和任何一種輸出(顯示、打印、音像、寫入外存,等等)無一不是通過內(nèi)存才可以進行。內(nèi)存的分類DDR內(nèi)存條內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種,前者又叫動態(tài)隨機存儲器,它的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會丟失,我們平時說的內(nèi)存就是指這一種;后者又叫只讀存儲器,我們平時開機首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows,ROM的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少,我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。
30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲器模塊SIMM,(SIMM就是一種兩側(cè)金手指都提供相同信號的內(nèi)存結(jié)構(gòu),)168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM。
30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了;前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;市場的主流品種是168線內(nèi)存條,168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種,一般的電腦插一條就OK了,不過,只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持168線的內(nèi)存條。EDO和SDRAM前面我們已經(jīng)按引腳數(shù)的多少把內(nèi)存條分為30、72和168線等幾種,其實,它們在結(jié)構(gòu)和性能上還有著本質(zhì)的區(qū)別。譬如,72線內(nèi)存條是一種EDO內(nèi)存,而現(xiàn)今主流的168線內(nèi)存條幾乎清一色又都是SDRAM內(nèi)存;EDO內(nèi)存的存取速度基本保持在60納秒左右,能夠適應(yīng)75兆赫茲的外頻,但跑83兆赫茲則有點勉為其難了;而SDRAM內(nèi)存的存取速度一般能達到10納秒左右,能夠適應(yīng)100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內(nèi)存已逐步被SDRAM所取代,至今,幾乎已無人再用EDO來裝機了,只有升級擴充舊電腦內(nèi)存時還用得著它。其實,EDO內(nèi)存被SDRAM所取代有其必然性,因為,市場上主流CPU的主頻已高達2G赫茲,未來CPU的主頻還會越來越高。但由于傳統(tǒng)內(nèi)存條的讀寫速度遠遠跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個內(nèi)存瓶頸的問題,我們就必須采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu),即SDRAM。因為,從理論上說,SDRAM與CPU頻率同步,共享一個時鐘周期。SDRAM內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列,當(dāng)CPU從一個存儲陣列訪問數(shù)據(jù)的同時,另一個已準備好讀寫數(shù)據(jù),通過兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存儲速度已高達5納秒,所以,SDRAM已成為內(nèi)存發(fā)展的主流。

C14 C16指的是時序,時序越低越好實際使用真感覺不到什么區(qū)別

如果做普通用途的話,兩者差別不大,c9和c11的時序不一樣,兩個都能超頻,但是要在bios里面設(shè)置,自動超頻是要主板自帶功能支持的,復(fù)仇者的總體屏風(fēng)要比普通版高一點,主要體現(xiàn)在高速處理方面

電腦內(nèi)存條c14和c16的區(qū)別:
1、價格不同其他條件相同的情況下,數(shù)字越小價格越高。
2、顆粒不同內(nèi)存中使用的顆粒不同,數(shù)字越小顆粒越好,超頻的潛力越高。
3、性能不同其他條件相同的情況下,數(shù)字越小性能越好。
4、時序不同也就是響應(yīng)時間不同,單位為時鐘周期。
5、間距不同C14和C16是卡槽間距不一樣。擴展資料:DDR2與DDR的區(qū)別:與DDR相比,DDR2最主要的改進是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下,可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設(shè)備上高效率使用兩個DRAM核心來實現(xiàn)的。作為對比,在每個設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個DRAM核心。技術(shù)上講,DDR2內(nèi)存上仍然只有一個DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而不是兩個數(shù)據(jù)。與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合,DDR2內(nèi)存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達4bit的數(shù)據(jù),比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個改進之處在于,它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣,但是仍然要使用新主板才能搭配DDR2內(nèi)存,因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣,DDR2的針腳數(shù)量為240針,而DDR內(nèi)存為184針;其次,DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V,也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。參考資料來源:百度百科-內(nèi)存條


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